1-7-3 磁矩和磁化率之间的关系

物质的摩尔磁化率c_m和分子磁矩m之间必然有着密切的联系。实际上，摩尔磁化率c_m可以看作是单位磁场强度下N（阿伏加得罗数）个平均磁矩之和。一般顺磁性物质摩尔磁化率c_m的理论表达式为：

c_m=Nm²/3kT

此式即朗之万-德拜方程，这和实验得到的所谓居里定律是一致的：

c_m=C/T （居里定律）

式中T是热力学温度，C为居里常数。更准确的关系是c_m不与

成正比，而是与成正比，这个结果是韦斯(Weiss)得出。

此处θ是居里温度,也称韦斯常数。由于大多数顺磁性物质的θ值很小、所以通常用原来形式的居里定律。并用下式计算指定温度下的有效磁矩m_有效^：

式中N_A是阿佛加得罗数，ｋ是玻茨曼常数。

摩尔磁化率是物质顺磁性摩尔磁化率C _顺磁与反磁性摩尔磁化率C _反磁之和：

C_m=C _顺磁+C _反磁　

思考题：什么是屏蔽效应和钻穿效应?怎样解释同一主层中能级分裂及不同主层中的能级交错现象?