离子晶体中的点缺陷是带电的，在没有外电场作用下，缺陷作无规运动，不形成电流。但当有外电场作用时，缺陷沿电场正、反方向的移动的几率不等，从而产生电流。为了导出电导率与温度的关系，我们考虑一种简单情况：一个间隙正离子在沿 x 正方向的电场 E 的作用下的运动
。沿 x 方向间隙离子的势能是晶体内势能与在外电场中的势能之和，如图 4-4-1 所示。
图 4-4-1 在外电场作用下间隙离子的势能
现在左右两边势垒高度是不同的。所以，离子沿电场正、负方向移动的几率不同，分别为：
…………………………………………………………（4-4-1）
式中
γ0为间隙离子的振动频率， ε 为晶体内部离散的势垒， q 为离子的 电荷， d
为相邻离子的距离。于是沿电场方向的漂移速度为：
…………………………………………………………（4-4-1） 
………………………………………（ 4-4-2）
………………………………（ 4-4-3） 
，称为爱因斯坦关系。由电流密度可直接求出离子电导率。即根据： 
………………………………（ 4-4-4） 
………………………………（ 4-4-5） 
为间隙正离子的浓度。上面的结果是针对一种缺陷类型导出的，其他类型的缺陷也可用同样的方法导
出其关系。