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在固体电子器件中，p-n结是由一种类型的掺杂剂扩散到另一种类型的半导体中制得。电子的迁移从n型区域到p型区域，形成一个没有载流子的空间电荷区域。离子化杂质的不平衡电荷导致能带的弯曲，直到Fermi能级相等时为止，如图7-37 (a)所示。
一个p-n结可用作整流，那是它沿一个方向的导电比另一个方向容易进行。在p-n结中，载流子的消耗有效地形成一个绝缘的势垒。如果正电势端接在P型端上，使n型端比P端更负，这时能量势垒下降，载流子容易通过，电流较大，如图7-37(b)，图中e是荷负电的电子，h是荷正电的空穴。如果正电势接到n型端上，更多的载流子将除去，势垒变得更宽，电流很小，如图7-37
(c)。