7-5半导体
像硅这种纯物质，单纯地由于带隙较窄，Eg小而呈现半导电性，叫做本征半导体。它的电导大于绝缘体而小于典型的金属。
本征半导体的能带结构和绝缘体相似，只是带隙较窄，通常处于0.5-3eV范围。它的导电机理是由于少数电子有着足够的热能，能够激发到空导带，空导带上有了少数电子而能导电。同时每当电子离开价带，就在价带产生正空穴，有了空穴就可能改变价带中电子的运动情况而导电，或称空穴导电。本征半导体的态密度图示于图7-35(a)中。图中Ev为价带能级，Ec为导带能级，Ef为费米能级。
在硅晶体中存在杂质原子，可导致能带状态的改变（图7-36）。当As原子掺杂到Si晶体中，As的价电子比Si多，这些电子占据导带最低能量的电子给体能级。这种半导体称为n型半导体，它的态密度图如图7-35 (b)所示。当Ga原子掺杂到Si中，Ga的价电子比Si少，这时紧挨着价带上部形成空穴能级，是带正电的受体能级，这种半导体称为P型半导体，它的态密度图示于图7-35 (c)中。Si晶体掺很少量的As或Ga可以使它的电导增加几个数量级。