能隙 的范围内，不存在电子的能量状态，称之为禁带，禁带宽度是 ， 是晶格周期场的傅氏展开系数，周期场愈强， 愈大，因而禁带愈宽。

晶体电子的能量 E( k ) 是倒格子空间的周期函数，即

而且有：

6 、紧束缚模型。 该模型假设晶体势场较强，当电子在 处离子实附近时，主要受该离子实势场的影响，其它离子实对这个电子的影响很小，可以作为微优处理。以孤立原子的哈密顿算符作为零级近似，应用简并微扰论进行计算，结果表明，晶体电子的能量本征值是一系列能带，其表达式为

其中 是最近邻原子间的微扰矩阵元，其量值与最近邻原子间波函数的交叠有关，波函数的交叠越大，则能带宽度越大。

7 、能态密度 N （ E ）。 N(E)=d z /dE ，表示能量在 E 与 E+dE 之间的单位能量间隔中所含有的状态数。自由电子模型中， N （ E ）随 E 增大而增大，其表达式为：

晶体中电子的等能面较复杂，不易得到其具体表达式

8 、准经典近似。 用经典概念描述晶体中布洛赫电子有时会带来某些方便。引入经典概念后，得到：

晶体电子的准动量为：

晶体电子的速度：

晶体电子倒有效质量张量：

    有效质量与能带结构密切相关，随 k 的变化而变。在能带底，有效质量是正的；在能带顶，有效质量是负的。有效质量的各种特性是由于它概括了周期场对电子的作用，使电子的加速度与外力直接联系起来，所以，与电子的惯性质量是截然不同的，在窄的能带中，电子的有效质量大，反映了该带电子受周期场的作用强，公有化运动较弱；宽能带电子的有效质量较小，故公有化运动较强。

9 、空穴。 空穴是为了便于研究近满带电子行为而引人的概念．空穴是一种假想的粒子，这种粒子带正电荷，具有正的有效质量 ，运动速度与 k 态电子相同。空穴的实质是近满带顶附近空的能量状态，即 k 态不为电子占据，则存在一个空穴。空穴运动的实质是电子的运动。

10 、导体、绝缘体及半导体晶体的能带模型。 由于晶体中电子能量是 k 的偶函数，电子的速度必为 k 的奇函数，所以满带电子不导电，不满带电子才导电。对于导体，晶体能带中除了满带外，还有不满带，其价电子能带是不满带。对于绝缘体，晶体能带中除了满带外．就是空带，而且，最高的满带与最低的空带之间的禁带宽度较大，约大于 5ev ；对于半导体材料，与绝缘体的模型无本质差异，只是最高满带与最低空带之间的禁带宽度较窄， 。所以，在 T ＝ 0K 时，半导体是个绝缘休； T≠ 0 时，满带电子有少量被热激发到上面的空带中，而在满带留下少量的空穴，因而具有一定的导电性。